Avalanche photodiodes
APD雪崩二极管

安检设备
激光测距
运动控制
分析仪器
生物医疗
光通信
军事
航空航天

驱动电路定制服务

雪崩光电二极管（APD）
APD series	Optimized for	Special features
Series 11	350-550nm	Blue enhanced,high speed
Series 12	550-750nm	Ultra-low temperature coefficient,flat frequency response up to 3 GHz
Series 8r	620-750nm	Optimized for 650 nm,fast rise time,low capacitance,flat gain curve
Series 8	750-820nm	High speed,low temperature coefficient,high gain bandwidth product
Series 9	750-930nm	Fast rise time at higher NIR sensitivity,high gain
Series 9.5	800-950nm	Excellent responsivity in 950 nm range,fast rise time,low dark current
Series 10	900-1100nm	Sensitivity at 1064 nm close to physical limits

11系列：蓝光敏感增强型
Order #	Chip	Package	Active area	Dark current	Breakdown	Rise time (ns)
			Size(mm)/Area(mm²)	(nA)at 5V	voltage	M = 100, 410 nm, 50 Ω
500146	AD800-11	TO52	Ø 0.8 / 0.5	1	160 - 240*	1
500967	AD1900-11	TO5i	Ø 1.95 / 3	5	90 - 240*	2

12系列：红光敏感增强型
Order #	Chip	Package	Active area	Spectra lResponse(A/W)	Capacitance	Cut-off frequency (GHz)
			Size(mm)/Area(mm²)	660 nm M=100	(pf)M=100	660 nm, 50 Ω
501828	AD100-12	LCC6.1	Ø 0.1 / 0.008	50	typ. 0.5	typ. 3, min. 2
501831	AD100-12	TO52S1	Ø 0.1 / 0.008	50	typ. 0.5	typ. 3, min. 2
501157	AD230-12	LCC6.1	Ø 0.23 / 0.042	50	typ. 1.5	typ. 3, min. 2
501162	AD230-12	TO52S1	Ø 0.23 / 0.042	50	typ. 1.5	typ. 3, min. 2
501155	AD500-12	LCC6.1	Ø 0.5 / 0.196	50	typ. 4.5	typ. 3, min. 2
501163	AD500-12	TO52S1	Ø 0.5 / 0.196	50	typ. 4.5	typ. 3, min. 2

内置带通(BP)滤波器的芯片备选
Order #	Chip	Package	Active Area (mm)	BP Zentrum (nm)	BP transmission (%)	BP FWHM (nm)
501829	AD100-12	LCC6.1f	Ø 0.1	635	>90	55
501830	AD100-12	LCC6.1f	Ø 0.1	635	>85	65
501156	AD230-12	LCC6.1f	Ø 0.23	635	>90	55
501820	AD230-12	LCC6.1f	Ø 0.23	635	>85	65
501154	AD500-12	LCC6.1f	Ø 0.5	635	>90	55
501819	AD500-12	LCC6.1f	Ø 0.5	635	>85	65

8r系列：红/绿敏感增强型(650nm波段)
Order #	Chip	Package	Active area	Dark current	Breakdown	Rise time (ns)
			Size(mm)/Area(mm²)	(nA) M=100	voltage(V)	M = 100, 650 nm, 50 Ω
501487	AD230-8r	TO52S1.1	Ø 0.23 / 0.04	0.2	80-160*	0.180
501488	AD230-8r	LCC6.1	Ø 0.23 / 0.04	0.2	80-160*	0.180

8系列：针对高截止频率进行优化设计(650-850nm波段)
Order #	Chip	Package	Active area	Dark current	Breakdown	Rise time (ns)
			Size(mm)/Area(mm²)	(nA) M=100	voltage(V)	M = 100, 905 nm, 50 Ω
501810	AD100-8	LCC6.1	Ø 0.1 / 0.008	0.05	80–160*	<0.180
500011	AD100-8	TO52S1	Ø 0.1 / 0.008	0.05	80–160*	<0.180
501171	AD100-8	TO52S3	Ø 0.1 / 0.008	0.05	80–160*	<0.180
501078	AD230-8	LCC6.1	Ø 0.23 / 0.04	0.3	80–160*	0.18
500019	AD230-8	TO5251	Ø 0.23 / 0.04	0.3	80–160*	0.18
500022	AD230-8	TO52S3	Ø 0.23 / 0.04	0.3	80–160*	0.18
501496	AD230-8	ODFN2x2	Ø 0.23 / 0.04	0.3	80–160*	0.18
501077	AD500-8	LCC6.1	Ø 0.5 / 0.2	0.5	80–160*	0.35
500030	AD500-8	LCC6.1	Ø 0.5 / 0.2	0.5	80–160*	0.35
500305	AD500-8	TO52S2 (lens)	Ø 0.5 / 0.2	0.5	80–160*	0.35
500155	AD500-8	TO52S3	Ø 0.5 / 0.2	0.5	80–160*	0.35
500947	AD800-8	TO52S1	Ø 0.8 / 0.5	2	80–240*	0.7
501117	AD1100-8	TO52S1	Ø 1.13 / 1	4–6	80–240*	1
500015	AD1900-8	TO5i	Ø 1.95 / 3	15	80–200*	1.4
501194	AD3000-8	TO5i	Ø 3 / 7.07	30	80–200*	2
500160	AD5000-8	TO8i	Ø 5 / 19.63	60	80–200*	3

内置带通(BP)滤波器的芯片备选
Order #	Chip	Package	Active Area (mm)	BP (nm)	BP transmission (%)	BP FWHM (nm)
501811	AD100-8	LCC6.1f	Ø 0.1	635	>90	55
501812	AD100-8	LCC6.1f	Ø 0.1	655	>85	65
501079	AD230-8	LCC6.1f	Ø 0.23	635	>90	55
501805	AD230-8	LCC6.1f	Ø 0.23	655	>85	65
501076	AD500-8	LCC6.1f	Ø 0.5	635	>90	55
501809	AD500-8	LCC6.1f	Ø 0.5	655	>85	65

9系列：近红外敏感增强型(900nm波段)
Order #	Chip	Package	Active area	Dark current	Breakdown	Rise time (ns)
			Size(mm)/Area(mm²)	(nA) M=100	voltage(V)	M=100, 905 nm, 50 Ω
500020	AD230-9	TO52S1	Ø 0.23 / 0.04	0.5	160–240*	0.5
500023	AD230-9	TO52S3	Ø 0.23 / 0.04	0.5	160–240*	0.5
501123	AD230-9	LCC6.1	Ø 0.23 / 0.04	0.5	160–240*	0.5
501557	AD230-9	ODFN2x2	Ø 0.23 / 0.04	0.5	160–240*	0.5
500031	AD500-9	TO5251	Ø 0.5 / 0.2	0.8	160–240*	0.55
500306	AD500-9	TO52S2	Ø 0.5 / 0.2	0.8	160–240*	0.55
500156	AD500-9	TO52S3	Ø 0.5 / 0.2	0.8	160–240*	0.55
501122	AD500-9	LCC6.1	Ø 0.5 / 0.2	0.8	160–240*	0.55
501196	AD800-9	TO52S1	Ø 0.8 / 0.5	2	160–240*	0.9
501197	AD1100-9	TO52S1	Ø 1.13 / 1	4	160–240*	1.3
501208	AD1500-9	TO5i	Ø 1.5 / 1.77	2	160–240*	2
501198	AD3000-9	TO5i	Ø 3 / 7.07	30	160–240*	2
50016101	AD5000-9	TO5i	Ø 5 / 19.63	60	160–240*	3

内置带通(BP)滤波器的芯片备选
Order #	Chip	Package	Active Area (mm)	BP Center (nm)	BP transmission (%)	BP FWHM (nm)
501265	AD230-9	TO52S1F2	Ø 0.23	905	>90	45
501817	AD230-9	LCC6.1f	Ø 0.23	905	>90	45
500590	AD500-9	TO52S1F2	Ø 0.5	905	>90	45
501818	AD500-9	LCC6.1f	Ø 0.5	905	>90	45

9系列：多元阵列
Order #	Chip	Package
501099	8AA0.4-9	SOJ22GL	8 elements, QE > 80 % at 760-910 nm with NTC
501098	16AA0.13-9	SOJ22GL	16 elements, QE > 80% at 760-910 nm with NTC
500038	16AA0.13-9	DIL18	16 elements, QE > 80 % at 760-910 nm
501097	16AA0.4-9	SOJ22GL	16 elements, QE > 80 % at 760-910 nm
50130802	25AA0.04-9	BGA	25 (5x5) elements, QE >80 % at 760-910nm with PTC
50130702	64AA0.04-9	BGA	64 (8x8) elements, QE > 80 % at 760-910 nm with PTC

9.5系列：近红外敏感增强型(950nm波段)
Order #	Chip	Package	Active area	Dark current	Breakdown	Rise time (ns)
			Size(mm)/Area(mm²)	(nA) M=100	voltage(V)	M=100, 905 nm, 50 Ω
501325	AD500-9.5	LCC6.1	Ø 0.5 / 0.2	0.5	260–340*	1.6

10系列：近红外敏感增强型(1064nm波段)
Order #	Chip	Package	Active area	Dark current	Breakdown
			Size(mm)/Area(mm²)	(nA) M= Vop	voltage(V)
500953	AD500-10	TO5i	Ø 0.5 / 0.2	1.5	220-600*
501233	AD800-10	TO5i	Ø 0.8 / 0.5	3	220-600*
500883	AD1500-10	TO5i	Ø 1.5 / 1.77	7	220-600*
50123401	AD4000-10	TO8Si	Ø 4 / 12.56	50	220-600*

新势力光电